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상세 정보 |
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| 타입: | 쇼트키 다이오드 | 특징: | 공통 캐소드 구조 |
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| 재료: | 실리콘 | 맥스. 순방향 전류: | 30A, 30A |
| 맥스. 순방향 전압: | 0.9V, 0.9V | 맥스. 역 전압: | 200V |
| 하이 라이트: | 고효율 쇼트키 다이오드,UL 쇼트키 다이오드,실리콘 쇼트키 배리어 다이오드 |
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제품 설명
고주파 스위치 전력 공급을 위한 저전력 손실 고능률 Schottky 다이오드
MBR10100.pdf
Schottky 다이오드는 발명자인 Dr. Schottky(Schottky)의 이름을 따서 명명되었으며, SBD는 Schottky Barrier Diode(Schottky Barrier Diode, 약칭 SBD)의 약자입니다.SBD는 P형 반도체와 N형 반도체를 접촉시켜 PN 접합을 형성하는 원리로 만드는 것이 아니라, 금속과 반도체를 접촉시켜 형성하는 금속-반도체 접합 원리를 이용한다.따라서 SBD는 금속반도체(접촉)다이오드 또는 핫캐리어다이오드의 일종인 표면장벽다이오드라고도 한다.
특징
1. 공통 음극 구조
2. 저전력 손실, 고효율
3. 높은 작동 접합 온도
4. 과전압 보호, 높은 신뢰성을 위한 가드 링
5. RoHS 제품
애플리케이션
1. 고주파 스위치 전원
2. 무료 휠링 다이오드, 극성 보호 애플리케이션
주요 특성
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IF(AV) |
10(2×5)A |
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시야각(최대) |
0.7V(@Tj=125°C) |
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Tj |
175 °C |
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VRRM |
100V |
제품 메시지
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모델 |
마킹 |
패키지 |
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MBR10100 |
MBR10100 |
TO-220C |
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MBRF10100 |
MBRF10100 |
TO-220F |
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MBR10100S |
MBR10100S |
TO-263 |
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MBR10100R |
MBR10100R |
TO-252 |
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MBR10100V |
MBR10100V |
TO-251 |
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MBR10100C |
MBR10100C |
TO-220 |
절대 정격(Tc=25°C)
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모수 |
상징 |
값 |
단위 |
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반복 피크 역 전압 |
VRRM |
100 |
V |
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최대 DC 차단 전압 |
VDC |
100 |
V |
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평균 순방향 전류 |
TC=150°C(TO-220/263/252)TC=125°C(TO-220F) |
장치당
다이오드 당 |
IF(AV) |
10 5 |
ㅏ |
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서지 비반복 순방향 전류 8.3ms 단일 반정현파(JEDECMethod) |
IFSM |
120 |
ㅏ |
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최대 접합 온도 |
Tj |
175 |
°C |
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보관 온도 범위 |
TSTG |
-40~+150 |
°C |
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