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상세 정보 |
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| 타입: | NTC 서미스터 | 특징: | 유리층과 코팅되, 엑셀렌투미디티 저항, 높은 레리아빌리티드 안정성 소형 사이즈, 어떤 납, 우수한 납땜성, 고밀도 SMT 설치를 위한 이상 |
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| 넓은 작동 온도 범위 :: | -55C~+125C ; | 특징 2: | 다양한 응용 프로그램을 위한 일련의 B상수 |
| 부품 번호.: | QV1210H220KT | 참조: | 칩 배리스터 |
| 패키징: | 테이프 | 바리스터 전압에 대한 허용한도: | ±10% |
| 하이 라이트: | MLCC 변하기 쉬운 SMD 바리스터,MOV 칩 SMD 바리스터,MLCC 변하기 쉬운 NTC 서미스터 |
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제품 설명
공장은 모든 시리즈 SMD 바리스터 1210H220KT MOV 칩 배리스터 MLCC 가변 저항기를 판매합니다
유리층, 엑셀렌투미디티 저항, 높은 레리아빌리티드 안정성과 페리처스코티드
소형 사이즈, 어떤 납, 고밀도 SMT 설치에 이상적인 우수한 납땜성
넓은 작동 온도 범위 :-55C~+125C ;
다양한 응용 프로그램을 위한 일련의 B상수
애플리케이션
휴대폰, 자동차 전화기, 등으로서의 통신 이퀘아이피먼트수치.
프린터, 팩스, 프로젝터, 데스크탑 컴퓨터, 등과 같은 사무 자동화.
비디오 리코더, 노트북, 착용가능 장치, 등과 같은 가전제품.
전원 공급기, 충전지와 충전기, led 라이트닝 분야, 등과 같은 다른 사람.
(표 1)
| 타입 | Ｌ (밀리미터) | Ｗ (밀리미터) | Ｔ (밀리미터) | (밀리미터) |
| 1210 | 3.2 ±0.30 3.2 ±0.30 | 2.5 ±0.25 2.5 ±0.25 | 1.5 맥스. | 0.50±0.25 |
(표 2)
| 부분 | ① | ② | ③ |
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성분 |
아연 산화물 반도체 도자기류를 위해 칩 배리스터 |
내부 전극 (Ag 또는 아그-피드) |
터미널 전극 (Ag / Ni / 스킨 3 층) |
제품 식별 (부품번호)
| ① 타입 | |
| 참조 | 칩 배리스터 |
| ②은 (밀리미터) 외형 칫수 L×W으로 조금씩 움직입니다 | |
| 1206 | 0. 12×0.06 (3.2×1.6) 0. 12×0.06 (3.2×1.6) |
| 1210 | 0. 12×0. 10 (3.2×2.5) 0. 12×0. 10 (3.2×2.5) 0. 12×0. 10 (3.2×2.5) |
| ③ 어플리케이션 코드 | |
| Ｈ |
높은 과전류 억제 |
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④ 최대 DC 동작 전압 |
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| 090 | 9V |
| 220 | 22V |
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⑤ 바리스터 전압에 대한 허용한도 |
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| Ｋ | ±10% |
| Ｌ | ±15% |
| ⑥ 패키징 | |
| Ｔ | 테이프 |
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