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상세 정보 |
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| 타입: | NTC 서미스터 | 특징: | 유리층과 코팅되, 엑셀렌투미디티 저항, 높은 레리아빌리티드 안정성 소형 사이즈, 어떤 납, 우수한 납땜성, 고밀도 SMT 설치를 위한 이상 |
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| 넓은 작동 온도 범위 :: | -55C~+125C ; | 특징 2: | 다양한 응용 프로그램을 위한 일련의 B상수 |
| 부품 번호.: | QV0402E180C150T | 전기 용량 @1MHz: | 120pF,150pF |
| 우수한 클램핑 비율과 신속 응답 시간: | <0> | 제조 절차: | 종합적 방식 |
| 하이 라이트: | NTC 다층 칩 배리스터,120pF NTC SMD 서미스터,150pF 다층 칩 배리스터 |
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제품 설명
NTC SMD 서미스터 과도 전압 방지용 다층 칩 배리스터 120pF 150pF
애플리케이션 : 휴대폰 배터리 일체와 충전기, 온도 보정된 수정떨개, LCD, 컴퓨터 마이크로프로세서 보호 회로, 전자 회로, 집적 회로 (IC)와 반도체 디바이스 보호 회로, 프린터 온도 보상, 다양한 플레이어 운전자 보호 회로, 프로그램 제어 교환, DC / 교류 변환기 과열 보호 회로.
전력선 보호를 위한 칩 배리스터
| ① 타입 | |
| 참조 | 칩 배리스터 |
| ② 외형 칫수 L×W×T (밀리미터) | |
| 0402 | 1.00×0.50×0.50 |
| 0603 | 1.60×0.80×0.80 |
| 0805 | 2.00×1.25×0.85 |
| ③ 어플리케이션 코드 | |
| Ｅ | ESD 보호와 과도 전압 방지용 |
| ④ 최대 연속 작업식 전압 | |
| 5R5 | 5.5V |
| 180 | 18V |
| ⑤ 전기 용량 @1MHz | |
| C121 | 120pF |
| C150 | 15pF |
| ⑥ 패키징 | |
| Ｔ | 테이프 |
| 비 | 크기 |
2. 구조와 차원
| 타입 | Ｌ (밀리미터) | Ｗ (밀리미터) | Ｔ (밀리미터) | (밀리미터) |
| 0402 | 1.00±0. 10 1.00±0. 10 | 0.50±0. 10 0.50±0. 10 | 0.50±0. 10 0.50±0. 10 | 0.25±0. 15 0.25±0. 15 |
| 0603 | 1.60±0. 15 1.60±0. 15 | 0.80±0. 15 0.80±0. 15 | 0.80±0. 15 0.80±0. 15 | 0.30±0.20 |
| 0805 | 2.00±0.20 | 1.25±0.20 | 0.85±0.20 | 0.50±0.30 |
| 부분 | ① | ② | ③ |
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성분 |
칩 배리스터를 위한 아연 산화물 반도체 도자기류 |
내부의 전극 (Ag 또는 아그-피드) |
터미널 전극 (Ag / Ni / 스킨 3 층) |
3.특징
고밀도 실장화에 적합한 SMD 종류
우수한 클램핑 비율과 신속 응답 시간 (<0>
우수한 납땜성 (Ni, Sn 도금)
4. 애플리케이션
USB 2.0, 내화선, IEEE 1394 인터페이스, RF와 같은 고속 데이터 라인을 위한 ESD 보호
안테나, RF모듈. 비디오와 오디오라인의 입출력 포트를 위한 ESD 보호.
IC과 트랜지스터를 위한 과도 전압 보호.
이동통신사, LCD 모듈인 컴퓨터 / EDP에서 사용되어 손은 / 이동 자국 장치, PDA를 잡았습니다
기타 등등.
높은 과전류 억제를 위한 칩 배리스터
구조와 차원
우수하여서 증가한 SMD 종류, 고밀도를 위한 적당하 클램핑 비율과 강한 카파빌 tyi의
전압 서지 억제
우수한 솔데라브 리티 (Ni,i Sn 도금)
애플리케이션
보안 시스템, PLC, 자동차 전자 공학, 공업 계기, 전자식 전력량계, 제어와 측정 장비, 등을 위해 사용됩니다.
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