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상세 정보 |
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| 원래 장소: | 중국 | 브랜드 이름: | Original |
|---|---|---|---|
| 사업자부 개수: | TSZ121ICT | 증가하는 타입: | 표면 부착 |
| 타입: | 집적 회로 | 작동 온도: | -40' Ｃ ~ 125' Ｃ |
| 애플리케이션: | 표준 | ||
| 하이 라이트: | TSZ121ICT 제로점 이동 OP 앰프,TSZ121 제로점 이동 OP 앰프,1CIRC SC70-5 증폭기 IC |
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제품 설명
새로운 원형 TSZ121ICT TSZ121 증폭기 IC 오프엠프 ZERO-DRIFT 1CIRC SC70-5
매우 고정밀도 (5 uV) 제로점 이동 마이크로파워 5 Ｖ 작동중인 증폭기
특징
매우 고정밀도와 안정성 : 25 가득 찬 온도 범위 (-40 'Ｃ 내지 125 'Ｃ) 레일 투 레일 입출력 에 'Ｃ, 8 uV에 있는 오프셋 전압 5 uV 최대
낮은 공급 전압 : 1.8 - 5.5 Ｖ
저 전력 소모 : 40 uA 최대. 5 Ｖ에
이득 대역폭 제품 : 400 킬로 헤르츠
ESD을 넓은 관용 : 4 kV HBM
확장 온도 범위 : -40 내지 125 'Ｃ 마이크로패키지 : SC70-5와 DFN8 2x2와 QFN16 3x3
혜택
보정 없는 더 높은 정확도
사실상 온도 변환에 의해 영향을 받지 않은 정확도
관련 상품
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애플리케이션
배터리로 움직이는 애플리케이션
이동 자국 장치
신호 조정
의료용 계측
기술
고 정밀도 작동중인 증폭기의 TSZ12x 시리즈는 매우 낮은 입력 오프셋 전압을 제공합니다
사실상 제로점 이동.
TSZ121은 단 하나의 버전이고, TSZ122 이원적 버전,와 TSZ124 쿼드가 핀아웃이 산업 기준으로 적합하, 개작합니다.
5 Ｖ에 있는 40 이하 uA를 소비하는 동안, TSZ12x 시리즈는 레일 투 레일 입출력과 우수한 속도 / 소비 전력 비율과 400개 킬로 헤르츠 이득 대역폭 제품을 제공합니다. 장치는 또한 극히 낮은 입력 바이어스 전류를 특징으로 합니다.
이러한 특징은 센서 인터페이스를 위한 TSZ12x 가족 이상, 배터리로 움직이는 앱과 휴대용 애플리케이션을 만듭니다.
절대 최대 정격과 운영 상태
표 1 : 절대 최대 정격 (아마르)
| 기호 | 매개 변수 | 가치 | 유닛 | |
| VCC | 공급 전압(1) | 6 |
Ｖ |
|
| 비디오 | 차동 입력 전압(2) | ±VCC | ||
| Vin | 입력 전압(3) | (VCC) - (VCC+) + 0.2에 대한 0.2 | ||
| 이인 | 입력 경향(4) | 10 | 마 | |
| 트스트그 | 저장 온도 | -65 내지 150 | 'Ｃ | |
| 트제이 | 접합 최고온도 | 150 | ||
|
스자 |
그렇게 하기 위한 열 저항 결합 |
SC70-5 | 205 |
'C/W |
| SOT23-5 | 250 | |||
| DFN8 2x2 | 57 | |||
| MiniSO8 | 190 | |||
| SO8 | 125 | |||
| QFN16 3x3 | 39 | |||
| TSSOP14 | 100 | |||
|
ESD |
HBM : 신체 모델(7) | 4 | kV | |
| MM : 기계 모델(8) | 300 | Ｖ | ||
| CDM : 대전 장치 모델(9) | 1.5 | kV | ||
| 래치업 내성 | 200 | 마 | ||
기록 :
차동전압을 제외하고, (1) 모든 전압값은 네트워크 어스 단자에 관하여 있습니다.
(2) 차동전압은 반전 입력 단자에 관하여 비반전 입력 단자입니다.
(3)Vcc - Vin은 6 Ｖ를 초과하지 않아야 합니다, Vin이 6 Ｖ를 초과하지 않아야 합니다
(4) 입력전류는 입력과 직렬로 저항기에 의해 제한되어야 합니다.
(5) R번째는 표준치입니다.
(6) 단락하고 과다 가열과 파괴적 산재를 야기시킬 수 있습니다.
(7) 휴먼 바디 모델 : 100 pF는 다른 핀 플로팅과의 모든 몇몇 핀 조합을 위해 행해지는 장치의 2개 핀 사이에 1.5 kΩ 저항기를 통하여 배출했습니다.
(8)기계 모델 : 200 pF 캡은 일정 전압에 고발되는 후, 어떤 외부 직렬 저항기 (내부 저항기 없이 장치의 2개 핀 사이에 직접적으로 배출했습니다 < 5="">
(9) 대전 장치는 모형을 만듭니다 : 패키지 외에 모든 핀은 일정 전압에 함께 고발되고, 그리고 나서 땅에 직접적으로 배출했습니다.
표 2 : 운영 상태
| 기호 | 매개 변수 | 가치 | 유닛 |
| VCC | 공급 전압 | 1.8 5.5에 | Ｖ |
| 비치텀 | 커먼 모드 입력전압 범위 | (VCC) - (VCC+) + 0.1에 대한 0.1 | |
| 술고래 | 자유 대기 온도 범위를 운영하기 | -40 내지 125 | 'Ｃ |
3
전기 특성
표 3 : VCC- = 0 Ｖ, Vicm = VCC/2, T = 25 'Ｃ와 VCC+ = 1.8 Ｖ에 있는 전기 특성,
그리고 RL = 10 kΩ은 VCC/2에 연결되었습니다 (그렇지 않았다면 상세화되지 않는다면)
| 기호 | 매개 변수 | 상태 | 민. | Typ. | 맥스. | 유닛 |
| DC 성능 | ||||||
| 가상 입출력 | 입력 오프셋 전압 | T = 25 'Ｃ | 1 | 5 | μV | |
| -40 'Ｃ < T=""> | 8 | |||||
| ΔVio/ΔT | 입력 오프셋 전압 동향(1) | -40 'Ｃ < T=""> | 10 | 30 | nV/' Ｃ | |
| Iib |
입력 바이어스 전류 (출력전압 = VCC / 2) |
T = 25 'Ｃ | 50 | 200(2) |
pA |
|
| -40 'Ｃ < T=""> | 300(2) | |||||
| 이리오 |
입력 오프셋 전류 (출력전압 = VCC / 2) |
T = 25 'Ｃ | 100 | 400(2) | ||
| -40 'Ｃ < T=""> | 600(2) | |||||
|
CMR |
동상 제거 비율, 20개 로그 (ΔVicm/ΔVio), VCC에 대한 Vic = 0 Ｖ , Vout = VCC/2, RL > 1 MΩ |
T = 25 'Ｃ | 110 | 122 |
dB |
|
| -40 'Ｃ < T=""> | 110 | |||||
| Avd | 대 신호 전압 이득, (VCC - 0.5 Ｖ)에 대한 Vout = 0.5 Ｖ | T = 25 'Ｃ | 118 | 135 | ||
| -40 'Ｃ < T=""> | 110 | |||||
| VOH | 높은 수준의 출력 전압 | T = 25 'Ｃ | 30 |
mV |
||
| -40 'Ｃ < T=""> | 70 | |||||
| VOL | 하위층 출력 전압 | T = 25 'Ｃ | 30 | |||
| -40 'Ｃ < T=""> | 70 | |||||
|
이아웃 |
이싱크 (출력전압 = VCC) | T = 25 'Ｃ | 7 | 8 |
마 |
|
| -40 'Ｃ < T=""> | 6 | |||||
| 이소스 (Vout = 0 Ｖ) | T = 25 'Ｃ | 5 | 7 | |||
| -40 'Ｃ < T=""> | 4 | |||||
|
ICC |
공급전류 증폭기에 따르면, Vout = VCC/2, RL > 1 MΩ) |
T = 25 'Ｃ | 28 | 40 |
μA |
|
| -40 'Ｃ < T=""> | 40 | |||||
| AC 성능 | ||||||
| GBP | 이득 대역폭 제품 |
RL = 10 kΩ, CL = 100 pF |
400 | 킬로 헤르츠 | ||
| 푸 | 단위 이득 주파수 | 300 | ||||
| Ｍ | 위상 여유 | 55 | 급 | |||
| Gm | 이득 여유 | 17 | dB | |||
| SR | 다수 비율(3) | 0.17 | V/μs | |||
| ts | 세팅 시간 | 0.1 %, Vin = 1 VP-p, RL = 10 kΩ, CL = 100 pF에 | 50 | μs | ||
| en | 동등한 입력 잡음 전압 | f = 1 킬로 헤르츠 | 60 | nV/√ Hz | ||
| f = 10 킬로 헤르츠 | 60 | |||||
| Cs | 채널 간격 | f = 100 Hz | 120 | dB | ||
| 기호 | 매개 변수 | 상태 | 민. | Typ. | 맥스. | 유닛 |
| 티니트 | 초기화 시간 | T = 25 'Ｃ | 50 | 추신 | ||
| -40 'Ｃ < T=""> | 100 |
TSZ121, TSZ122, TSZ124
기록 :
(1) 5.5 절을 보세요 : 온도 에 입력 오프셋 전압 드리프트. 입력옵셋 측정은 x100 획득 구성에서 실행됩니다. 증폭기와 이득 설정값 저항기는 동일 온도에 있습니다.
디자인에 의해 보증된 (2)
(3)다수 비 값은 정부 슬루율 사이에 평균으로 계산됩니다.
표 4 : VCC- = 0 Ｖ, Vicm = VCC/2, T = 25 'Ｃ와 VCC+ = 3.3 Ｖ에 있는 전기 특성,
그리고 RL = 10 kΩ은 VCC/2에 연결되었습니다 (그렇지 않았다면 상세화되지 않는다면)
| 기호 | 매개 변수 | 상태 | 민. | Typ. | 맥스. | 유닛 |
| DC 성능 | ||||||
| 가상 입출력 | 입력 오프셋 전압 | T = 25 'Ｃ | 1 | 5 | μV | |
| -40 'Ｃ < T=""> | 8 | |||||
| ΔVio/ΔT | 입력 오프셋 전압 동향(1) | -40 'Ｃ < T=""> | 10 | 30 | nV/' Ｃ | |
| Iib |
입력 바이어스 전류 (출력전압 = VCC / 2) |
T = 25 'Ｃ | 60 | 200(2) |
pA |
|
| -40 'Ｃ < T=""> | 300(2) | |||||
| 이리오 |
입력 오프셋 전류 (출력전압 = VCC / 2) |
T = 25 'Ｃ | 120 | 400(2) | ||
| -40 'Ｃ < T=""> | 600(2) | |||||
|
CMR |
동상 제거 비율, 20개 로그 (ΔVicm/ΔVio), VCC에 대한 Vic = 0 Ｖ , Vout = VCC/2, RL > 1 MΩ |
T = 25 'Ｃ | 115 | 128 |
dB |
|
| -40 'Ｃ < T=""> | 115 | |||||
| Avd | 대 신호 전압 이득, (VCC - 0.5 Ｖ)에 대한 Vout = 0.5 Ｖ | T = 25 'Ｃ | 118 | 135 | ||
| -40 'Ｃ < T=""> | 110 | |||||
| VOH | 높은 수준의 출력 전압 | T = 25 'Ｃ | 30 |
mV |
||
| -40 'Ｃ < T=""> | 70 | |||||
| VOL | 하위층 출력 전압 | T = 25 'Ｃ | 30 | |||
| -40 'Ｃ < T=""> | 70 | |||||
|
이아웃 |
이싱크 (출력전압 = VCC) | T = 25 'Ｃ | 15 | 18 |
마 |
|
| -40 'Ｃ < T=""> | 12 | |||||
| 이소스 (Vout = 0 Ｖ) | T = 25 'Ｃ | 14 | 16 | |||
| -40 'Ｃ < T=""> | 10 | |||||
|
ICC |
공급전류 증폭기에 따르면, Vout = VCC/2, RL > 1 MΩ) |
T = 25 'Ｃ | 29 | 40 |
μA |
|
| -40 'Ｃ < T=""> | 40 | |||||
| AC 성능 | ||||||
| GBP | 이득 대역폭 제품 |
RL = 10 kΩ, CL = 100 pF |
400 | 킬로 헤르츠 | ||
| 푸 | 단위 이득 주파수 | 300 | ||||
| Ｍ | 위상 여유 | 56 | 급 | |||
| Gm | 이득 여유 | 19 | dB | |||
| SR | 다수 비율(3) | 0.19 | V/μs | |||
| ts | 세팅 시간 | 0.1 %, Vin = 1 VP-p, RL = 10 kΩ, CL = 100 pF에 | 50 | μs | ||
| en | 동등한 입력 잡음 전압 | f = 1 킬로 헤르츠 | 40 | nV/√ Hz | ||
| f = 10 킬로 헤르츠 | 40 | |||||
| Cs | 채널 간격 | f = 100 Hz | 120 | dB | ||
| 티니트 | 초기화 시간 | T = 25 'Ｃ | 50 | μs | ||
| -40 'Ｃ < T=""> | 100 | |||||
표 5 : VCC- = 0 Ｖ, Vicm = VCC/2, T = 25 'Ｃ와 VCC+ = 5 Ｖ에 있는 전기 특성 . 그리고
RL = 10 kΩ은 VCC/2에 연결되었습니다 (그렇지 않았다면 상세화되지 않는다면)
| 기호 | 매개 변수 | 상태 | 민. | Typ. | 맥스. | 유닛 |
| DC 성능 | ||||||
| 가상 입출력 | 입력 오프셋 전압 | T = 25 'Ｃ | 1 | 5 | μV | |
| -40 'Ｃ < T=""> | 8 | |||||
| ΔVio/ΔT | 입력 오프셋 전압 동향(1) | -40 'Ｃ < T=""> | 10 | 30 | nV/' Ｃ | |
| Iib |
입력 바이어스 전류 (출력전압 = VCC / 2) |
T = 25 'Ｃ | 70 | 200(2) |
pA |
|
| -40 'Ｃ < T=""> | 300(2) | |||||
| 이리오 |
입력 오프셋 전류 (출력전압 = VCC / 2) |
T = 25 'Ｃ | 140 | 400(2) | ||
| -40 'Ｃ < T=""> | 600(2) | |||||
|
CMR |
동상 제거 비율, 20개 로그 (ΔVicm/ΔVio), VCC에 대한 Vic = 0 Ｖ , Vout = VCC/2, RL > 1 MΩ |
T = 25 'Ｃ | 115 | 136 |
dB |
|
| -40 'Ｃ < T=""> | 115 | |||||
|
SVR |
공급 전압 거절 비율, 20개 로그 (ΔVCC/ΔVio), 5.5 Ｖ에 대한 VCC = 1.8 Ｖ, Vout = VCC/2, RL > 1 MΩ |
T = 25 'Ｃ | 120 | 140 | ||
| -40 'Ｃ < T=""> | 120 | |||||
| Avd | 대 신호 전압 이득, (VCC - 0.5 Ｖ)에 대한 Vout = 0.5 Ｖ | T = 25 'Ｃ | 120 | 135 | ||
| -40 'Ｃ < T=""> | 110 | |||||
|
|
EMI 거절 rate = -20 로그 (VRFpeak/ΔVio) |
VRF = 100 mVp, f = 400 마하즈 | 84 | |||
| VRF = 100 mVp, f = 900 마하즈 | 87 | |||||
| VRF = 100 mVp, f = 1800 마하즈 | 90 | |||||
| VRF = 100 mVp, f = 2400 마하즈 | 91 | |||||
| VOH | 높은 수준의 출력 전압 | T = 25 'Ｃ | 30 |
mV |
||
| -40 'Ｃ < T=""> | 70 | |||||
| VOL | 하위층 출력 전압 | T = 25 'Ｃ | 30 | |||
| -40 'Ｃ < T=""> | 70 | |||||
|
이아웃 |
이싱크 (출력전압 = VCC) | T = 25 'Ｃ | 15 | 18 |
마 |
|
| -40 'Ｃ < T=""> | 14 | |||||
| 이소스 (Vout = 0 Ｖ) | T = 25 'Ｃ | 14 | 17 | |||
| -40 'Ｃ < T=""> | 12 | |||||
|
ICC |
공급전류 증폭기에 따르면, Vout = VCC/2, RL > 1 MΩ) |
T = 25 'Ｃ | 31 | 40 |
μA |
|
| -40 'Ｃ < T=""> | 40 | |||||
| AC 성능 | ||||||
| GBP | 이득 대역폭 제품 |
RL = 10 kΩ, CL = 100 pF |
400 | 킬로 헤르츠 | ||
| 푸 | 단위 이득 주파수 | 300 | ||||
| Ｍ | 위상 여유 | 53 | 급 | |||
| Gm | 이득 여유 | 19 | dB | |||
| SR | 다수 비율(4) | 0.19 | V/μs | |||
| 기호 | 매개 변수 | 상태 | 민. | Typ. | 맥스. | 유닛 |
| ts | 세팅 시간 | 0.1 %, Vin = 100 MVP-p, RL = 10 kΩ, CL = 100 pF에 | 10 | μs | ||
| en | 동등한 입력 잡음 전압 | f = 1 킬로 헤르츠 | 37 | nV/√ Hz | ||
| f = 10 킬로 헤르츠 | 37 | |||||
| Cs | 채널 간격 | f = 100 Hz | 120 | dB | ||
| 티니트 | 초기화 시간 | T = 25 'Ｃ | 50 | μs | ||
| -40 'Ｃ < T=""> | 100 |
기록 :
5.5 절을 보세요 : 온도 에 입력 오프셋 전압 드리프트. 입력옵셋 측정은 x100 획득 구성에서 실행됩니다. 증폭기와 이득 설정값 저항기는 동일 온도에 있습니다.
디자인에 의해 보증된 (2)
SC70-5 패키지에 시험된 (3)
(4)다수 비 값은 정부 슬루율 사이에 평균으로 계산됩니다.
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