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상세 정보 |
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| 루멘스: | 10000LM/세트 | LED 칩: | 파이립스 칩 |
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| 조건: | 100% 새로운 브랜드 | 광 파워: | 160W/키트(80W/전구) |
| 재료: | 알루미늄 합금 | 시작력: | 150W |
| 핵심 단어: | 자동차 헤드 램프 | 라이트 루멘: | 9600LM/세트 |
| 구멍: | 천사의 눈 | 광속: | 전구당 4000루멘 |
| 작동 전압: | 9-36V DC | 모델: | G5S-H4 |
| 호환성: | H11/H7/H4 소켓이 있는 대부분의 자동차 모델에 적합 | 램프 루멘: | 4000LM/전구 |
| 제품 모드: | G7-H11-PHI-4000LM | ||
| 강조하다: | LED 자동차 헤드라이트 7V-40V,PWM LED 자동차 헤드라이트,단일 핀 밝기 제어 헤드라이트 |
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제품 설명
일반 설명
EC9521 전원 스위치는 USB 애플리케이션용으로 설계되었습니다.
35mΩ N채널 MOSFET 전원 스위치는 USB 사양의 전압 강하 요구 사항을 충족합니다.
보호 기능에는 전류 제한 보호, 단락 보호 및 과열 보호가 포함됩니다.
장치는 전류 제한 임계값에서 출력 전류를 제한합니다.
과열 보호는 단락 또는 과부하 조건 시 접합 온도를 140℃ 미만으로 제한합니다. 장치를 활성화하거나 비활성화하는 활성화 입력.
기능
◆35mΩ 고측 MOSFET
◆전압 범위: 3.5V ~ 5.5V
◆전류 제한 및 단락 보호
◆과열 보호
◆Iset 입력
◆활성화 입력
◆무연 및 친환경 장치 사용 가능
애플리케이션
◆노트북 및 데스크톱 컴퓨터
◆USB 포트
◆고측 전원 보호 스위치
기능 설명 VIN 저전압 차단 (UVLO) EC9521 전원 스위치에는 내부 회로가 제대로 작동할 때까지 출력이 꺼지지 않도록 하는 내장 저전압 차단 회로가 있습니다. UVLO 회로는 히스테리시스와 디글리치 기능을 갖추고 있어 입력의 언더슈트 과도 현상을 일반적으로 무시합니다. 입력 전압이 UVLO 임계값을 초과하면 출력 전압이 소프트 스타트를 시작하여 돌입 전류를 줄입니다. 전원 스위치 전원 스위치는 낮은 RDS(ON)을 가진 N채널 MOSFET입니다. 내부 전력 MOSFET에는 바디 다이오드가 없습니다. IC가 꺼지면 MOSFET은 VOUT에서 VIN으로, VIN에서 VOUT으로의 전류 흐름을 방지합니다. 전류 제한 보호 EC9521 전원 스위치는 전류 제한 보호 기능을 제공합니다. 전류 제한 중 장치는 출력 전류를 전류 제한 임계값으로 제한합니다. 안정적인 작동을 위해 장치는 장기간 전류 제한 상태로 작동해서는 안 됩니다. 단락 보호 과부하 또는 단락으로 인해 출력 전압이 1.5V 미만으로 떨어지면 장치는 출력 전류를 안전한 수준으로 제한합니다. 단락 전류 제한은 단락 조건 중 전력 소모를 줄이는 데 사용됩니다. 접합 온도가 과열 임계값에 도달하면 장치가 열 차단 상태로 들어갑니다. ISET ISET 핀은 Riset으로 전류 제한을 설정할 수 있습니다: ILim=120k*1.14V/Riset 활성화/비활성화 EN을 0.8V 미만으로 내리면 장치가 비활성화되고 EN을 2V 이상으로 올리면 장치가 활성화됩니다. IC가 비활성화되면 공급 전류가 1μA 미만으로 줄어듭니다. 활성화 입력은 TTL 및 CMOS 로직 레벨 모두와 호환됩니다. EN 핀은 플로팅 상태로 두어서는 안 됩니다. 과열 보호 접합 온도가 140℃을 초과하면 내부 열 감지 회로가 전력 FET를 끄고 장치가 냉각되도록 합니다. 장치의 접합 온도가 20℃만큼 냉각되면 내부 열 감지 회로가 장치를 활성화하여 지속적인 열 보호 중 펄스 출력을 생성합니다. 열 보호는 과열 조건 시 IC를 보호하도록 설계되었습니다. 정상 작동 시 접합 온도는 TJ=+125℃을 초과할 수 없습니다.
애플리케이션 정보 입력 커패시터 VIN과 GND 사이에 1μF 세라믹 바이패스 커패시터를 EC9521 근처에 배치하는 것이 단락 오류 이벤트 중 링잉을 억제하는 데 강력히 권장됩니다. 바이패스 커패시터가 없으면 출력 단락은 입력(공급 리드 인덕턴스로 인한)에 충분한 링잉을 유발하여 내부 제어 회로를 손상시킬 수 있습니다. 출력 커패시터 VOUT과 GND 사이에 낮은 ESR의 10μF 알루미늄 전해 또는 탄탈 커패시터를 배치하는 것이 다운스트림 주변 장치의 핫 연결 중 전압 강하를 줄이는 데 강력히 권장됩니다. (USB 2.0에 따라 출력 포트는 허브당 최소 120μF의 낮은 ESR 벌크 커패시턴스를 가져야 합니다). 출력 부하가 무거울수록 더 높은 값의 출력 커패시터가 좋습니다. 또한 0.1μF 세라믹 커패시터로 출력을 바이패스하면 단락 과도 현상에 대한 장치의 내성이 향상됩니다. 레이아웃 고려 사항 열 방출을 최대화하고 전압 강하, 드롭 및 EMI를 최소화하기 위해 PCB 레이아웃을 신중하게 수행해야 합니다. 다음 지침을 고려해야 합니다: 1. 입력 커패시터를 VIN 핀 근처에 최대한 가깝게 배치하십시오. 2. 부하에 대한 출력 디커플링 커패시터는 고주파 리플을 디커플링하기 위해 부하에 최대한 가깝게 배치해야 합니다. 3. EC9521 및 출력 커패시터를 부하 근처에 배치하여 기생 저항 및 인덕턴스를 줄여 우수한 부하 과도 성능을 제공합니다. 4. 입력 및 출력 커패시터의 음극 핀과 GND 핀은 부하의 접지면에 연결해야 합니다. 5. VIN 및 VOUT 트레이스는 가능한 한 넓고 짧게 유지하십시오.
