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상세 정보 |
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| 부품번호: | 34S390K | VAC(V): | 25 |
|---|---|---|---|
| Vdc(V): | 31 | V1mA(V): | 39 |
| @iKHz(pF): | 31500 | I(A): | 12000 |
| 하이 라이트: | 220v 금속성 금속 산화물 바리스터,UL 금속 산화 배리스터,680 VRMS 금속 산화물 바리스터 |
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제품 설명
34S 케케묵은 220v 고전력 MOV 바리스터 높은 에너지 흡수 성능
34S 광장 220V 고전력 금속 산화 배리스터 빠른 구체적 :
오우 와이드 볼테지 범위선택 - 14 VRMS에서부터 680까지 VRMS.This는 특정 기능을 위한 수정 성분 중에서 쉬운 선택을 허락합니다.
요소의 크기에 대한 오우 높은 에너지 흡수 성능.
인스턴트식품 과도 현상을 고정시키는 20 나노 초하의 오우 응답 시간 그것은 발생합니다.
오우 저유지 전력 - 사실상 어떤 전류도 대기 조건에서 사용되지 않습니다.
바리스터를 디지털 교환 회로의 보호에 적합하게 한 오우 저용량 값.
오우 고위 기구 단열재 - 그렇게 하기 위해 단락 회로를 방지하면서, 오커색 코팅은 2500 Ｖ까지 보호를 제공합니다
인접 부품 또는 트랙.
바리스터를 자동장치에 이상적이게 하는 정확하게 한정된 치수 허용차와 테이프에 이용 가능한 오우
삽입.
34S 광장 220V 고전력 금속 산화 배리스터 기술 :
바리스터는 AC 또는 DC 전력 전선 위의 전격적이 또는 스위칭 또는 전기적 소음에 의해 예를 들어 생산될 수 있는 높은 전압 과도와 해일에 대한 믿을 만하고 경제적 보호를 제공합니다. 그들은 매우 더 높은 일시적 에너지를 흡수할 수 있는만큼 안에 일시적 억제 다이오드보다 유리하고, 정부 과도 현상을 억누를 수 있습니다.과도 현상이 발생할 때, 가변저항은 매우 높은 대기 가치에서 매우 낮은 전도값으로 변합니다. 그러므로 민감한 회로 부품을 보호하면서, 과도 현상은 안전 레벨에 흡수되고 고정됩니다.2개 입자의 접촉선에 정류 작용을 주면서, 바리스터는 비 균질재로부터 제조됩니다. 많은 시리즈와 병렬 연결은 전압 정격과 바리스터의 전기 성능을 결정합니다
34S 광장 220V 고전력 금속 산화 배리스터 적용 :
다음을 포함하여 바리스터는 다수의 애플리케이션에서 사용될 수 있습니다 :
오우 컴퓨터
오우 타이머들
오우 증폭기
오우 오실로스코프
오우 의학 분석 장비
O 거리 조명
오우 튜너
오우 텔레비젼
오우 제어기들
오우 산업발전소
오우 원거리 통신
오우 자동차
34S 광장 220V 고전력 금속 산화 배리스터
금속 산화 배리스터 34S 상술
| 부품번호 | VAC(V) | Vdc(V) | V1mA(V) | IP(A) | VC(V) | I(A) | (J) | @iKHz(pF) |
| 34S330K | 20 | 26 | 33(30-36) | 60 | 65 | 12000 | 50 | 43000 |
| 34S390K | 25 | 31 | 39(35-43) | 60 | 77 | 12000 | 65 | 31500 |
| 34S470K | 30 | 38 | 47(42-52) | 60 | 93 | 12000 | 75 | 28000 |
| 34S560K | 35 | 45 | 56(50-62) | 60 | 110 | 12000 | 90 | 24500 |
| 34S680K | 40 | 56 | 68(61-75) | 60 | 135 | 12000 | 110 | 21500 |
| 34S820K | 50 | 65 | 82(74-90) | 300 | 135 | 30000 | 135 | 19500 |
| 34S101K | 60 | 85 | 100(90-110) | 300 | 165 | 30000 | 165 | 15500 |
| 34S121K | 75 | 100 | 120(108-132) | 300 | 200 | 30000 | 200 | 13000 |
| 34S151K | 95 | 125 | 150(135-165) | 300 | 250 | 30000 | 260 | 11000 |
| 34S181K | 115 | 150 | 180(162-198) | 300 | 300 | 30000 | 300 | 9000 |
| 34S201K | 130 | 170 | 200(180-220) | 300 | 340 | 40000 | 330 | 8000 |
| 34S221K | 140 | 180 | 220(198-242) | 300 | 360 | 40000 | 360 | 7800 |
금속 산화 배리스터는 매우 높은 열린 회로 상태에서 전기회로에서 어떠한 해일 또는 전압 과도를 고정시키기 위한 매우 낮은 단락회로 상태까지 저항 변화인 반도체 디바이스입니다.
