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상세 정보 |
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| 강조하다: | SS8050W,npn 실리콘 에피타시얼 플래너 트랜지스터,높은 전류 수집기 에피타시얼 평면 트랜지스터 |
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제품 설명
SOT-323 고주파 저소음 트랜지스터 (PNP)
특징
- 전류 수집기.
- SS8550W를 보완합니다.
- 콜렉터 분산:PC=200mW ((TC=25°C)
응용 프로그램
- 높은 수집 전류.
주문정보
타입 번호:SS8050W
표시: Y1
패키지 코드:SOT-323
전기적 특성 @ Ta=25 °C 달리 명시되지 않는 한
| 매개 변수 | 기호 | 시험 조건 | 미니 | TYP | 맥스 | UNIT |
| 콜렉터 베이스 분산 전압 | V(BR) CBO | IC=100μA,IE=0 | 40 | V | ||
| 콜렉터-에미터 분산 전압 | V ((BR) CEO | IC=2mA,IB=0 | 25 | V | ||
| 방출기-기반 분산 전압 | V ((BR) EBO | IE=-100μA,IC=0 | 5 | V | ||
| 콜렉터 차단 전류 | ICBO | VCB=40V,IE=0 | 0.1 | μA | ||
| 콜렉터 차단 전류 | ICEO | VCE=20V,IB=0 | 0.1 | μA | ||
| 방출기 차단 전류 | IEBO | VEB=5V,IC=0 | 0.1 | μA | ||
| DC 전류 증강 |
hFE |
VCE=1V,IC=100mA | 120 | 400 | ||
| VCE=1V,IC=800mA | 40 | |||||
| 콜렉터-에미터 포화 전압 | VCE (sat) | IC=800mA, IB=80mA | 0.5 | V | ||
| 베이스 발산자 포화 전압 | VBE (sat) | IC=800mA, IB=80mA | 1.2 | V | ||
| 베이스 발사자 전압 | VBE | VCE=1V IC=10mA | 1 | V | ||
| 전환 주파수 | fT | VCE=10V, IC=50mA f=30MHz | 100 | MHz |
HFE의 분류 (1)
| 계급 | L | H | J |
| 범위 | 120~200 | 200~350 | 300~400 |
전형적 특징 @타=25 °C아니면 그렇지 않으면 지정된
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